IPB120N06S4-H1

型号：

IPB120N06S4-H1

制造商：

Infineon Technologies

客户编号:

型号描述：

MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2

文件规格书:

IPB120N06S4-H1

规格

产品属性

属性值

Base Part Number：

IPB120

Package / Case：

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Supplier Device Package：

PG-TO263-3-2

Mounting Type：

Surface Mount

Operating Temperature：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Power Dissipation (Max)：

250W (Tc)

FET Feature：

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：

21900pF @ 25V

Vgs (Max)：

±20V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：

270nC @ 10V

Vgs(th) (Max) @ Id：

4V @ 200µA

Rds On (Max) @ Id, Vgs：

2.4mOhm @ 100A, 10V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：

120A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)：

60V

Technology：

MOSFET (Metal Oxide)

FET Type：

N-Channel

Part Status：

Active

Packaging：

Tape & Reel (TR)

Series：

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

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数量

单价

总价

¥21.8316

10+

¥17.6212

¥176.212

100+

¥14.0346

¥1403.46

500+

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10000+

¥8.8106

¥88106

IPB120N06S4-H1

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