FDD86102LZ

型号：

FDD86102LZ

制造商：

ON

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型号描述：

文件规格书:

FDD86102LZ

规格

产品属性

属性值

Packaging：

Tape & Reel (TR)

Part Status：

Active

FET Type：

N-Channel

Technology：

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)：

100V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：

8A (Ta), 35A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs：

22.5mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id：

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：

26nC @ 10V

Vgs (Max)：

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：

1540pF @ 50V

FET Feature：

Power Dissipation (Max)：

3.1W (Ta), 54W (Tc)

Operating Temperature：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type：

Surface Mount

Supplier Device Package：

D-PAK (TO-252)

Package / Case：

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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FDD86367_F085

MOSFET MV7 80/20V1000A N-CH PowerTrench MOSFET

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