SI4190ADY-T1-GE3

型号：

SI4190ADY-T1-GE3

制造商：

Vishay Semiconductors

客户编号:

型号描述：

MOSFET 100V 8.8mOhm@10V 18.4A N-Ch MV T-FET

文件规格书:

SI4190ADY-T1-GE3

规格

产品属性

属性值

Base Part Number：

SI4190

Package / Case：

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Supplier Device Package：

8-SO

Mounting Type：

Surface Mount

Operating Temperature：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Power Dissipation (Max)：

3W (Ta), 6W (Tc)

FET Feature：

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：

1970pF @ 50V

Vgs (Max)：

±20V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：

67nC @ 10V

Vgs(th) (Max) @ Id：

2.8V @ 250µA

Rds On (Max) @ Id, Vgs：

8.8mOhm @ 15A, 10V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：

18.4A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)：

100V

Technology：

MOSFET (Metal Oxide)

FET Type：

N-Channel

Part Status：

Active

Packaging：

Tape & Reel (TR)

Series：

TrenchFET®

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型号描述

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库存

交期（工作天）

起订量： 1 倍增量： 1

数量：

单价：

¥14.5024

总价:

¥14.502

定价(含13%增值税)

数量

单价

总价

¥14.5024

10+

¥11.6175

¥116.175

100+

¥9.2784

¥927.84

500+

¥8.1089

¥4054.45

1000+

¥6.7756

¥6775.6

2500+

¥6.3078

¥15769.5

5000+

¥6.0739

¥30369.5

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¥5.84

¥58400

SI4190ADY-T1-GE3

SI4190ADY-T1-GE3

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