SIR401DP-T1-GE3

型号：

SIR401DP-T1-GE3

制造商：

Vishay Semiconductors

客户编号:

型号描述：

MOSFET -20V 3.2mOhm@10V 50A P-Ch G-III

文件规格书:

SIR401DP-T1-GE3

规格

产品属性

属性值

Package / Case：

PowerPAK® SO-8

Supplier Device Package：

PowerPAK® SO-8

Mounting Type：

Surface Mount

Operating Temperature：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Power Dissipation (Max)：

5W (Ta), 39W (Tc)

FET Feature：

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：

9080pF @ 10V

Vgs (Max)：

±12V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：

310nC @ 10V

Vgs(th) (Max) @ Id：

1.5V @ 250µA

Rds On (Max) @ Id, Vgs：

3.2mOhm @ 15A, 10V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：

2.5V, 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：

50A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)：

20V

Technology：

MOSFET (Metal Oxide)

FET Type：

P-Channel

Part Status：

Active

Packaging：

Tape & Reel (TR)

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型号

型号描述

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数量：

单价：

¥7.5631

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¥7.563

定价(含13%增值税)

数量

单价

总价

¥7.5631

10+

¥6.1128

¥61.128

100+

¥4.6938

¥469.38

500+

¥4.148

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¥3274.7

3000+

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6000+

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¥17403

9000+

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24000+

¥2.7056

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SIR401DP-T1-GE3

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