SI3433CDV-T1-E3

型号：

SI3433CDV-T1-E3

制造商：

Vishay Semiconductors

客户编号:

型号描述：

MOSFET 20V 6.0A 3.3W 38mohm @ 4.5V

文件规格书:

SI3433CDV-T1-E3

规格

产品属性

属性值

Base Part Number：

SI3433

Package / Case：

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Supplier Device Package：

6-TSOP

Mounting Type：

Surface Mount

Operating Temperature：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Power Dissipation (Max)：

3.3W (Tc)

FET Feature：

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：

1300pF @ 10V

Vgs (Max)：

±8V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：

45nC @ 8V

Vgs(th) (Max) @ Id：

1V @ 250µA

Rds On (Max) @ Id, Vgs：

38mOhm @ 5.2A, 4.5V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：

1.8V, 4.5V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：

6A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)：

20V

Technology：

MOSFET (Metal Oxide)

FET Type：

P-Channel

Part Status：

Active

Packaging：

Tape & Reel (TR)

Series：

TrenchFET®

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型号描述

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¥30.018

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¥222.99

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24000+

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SI3433CDV-T1-E3

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