Si3483CDV-T1-E3

型号：

Si3483CDV-T1-E3

制造商：

Vishay Semiconductors

客户编号:

型号描述：

MOSFET 30V 8.0A 4.2W 34mohm @ 10V

文件规格书:

Si3483CDV-T1-E3

规格

产品属性

属性值

Base Part Number：

SI3483

Package / Case：

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Supplier Device Package：

6-TSOP

Mounting Type：

Surface Mount

Operating Temperature：

-55°C ~ 150°C (TA)

Power Dissipation (Max)：

2W (Ta), 4.2W (Tc)

FET Feature：

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：

1000pF @ 15V

Vgs (Max)：

±20V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：

33nC @ 10V

Vgs(th) (Max) @ Id：

3V @ 250µA

Rds On (Max) @ Id, Vgs：

34mOhm @ 6.1A, 10V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：

8A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)：

30V

Technology：

MOSFET (Metal Oxide)

FET Type：

P-Channel

Part Status：

Active

Packaging：

Tape & Reel (TR)

Series：

TrenchFET®

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型号

型号描述

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¥63.312

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¥486.53

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¥3391.7

3000+

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6000+

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9000+

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24000+

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Si3483CDV-T1-E3

Si3483CDV-T1-E3

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