BSC009NE2LS5IATMA1

型号：

BSC009NE2LS5IATMA1

制造商：

Infineon Technologies

客户编号:

型号描述：

MOSFET LV POWER MOS

文件规格书:

BSC009NE2LS5IATMA1

规格

产品属性

属性值

Package / Case：

8-PowerTDFN

Supplier Device Package：

PG-TDSON-8-7

Mounting Type：

Surface Mount

Operating Temperature：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Power Dissipation (Max)：

2.5W (Ta), 74W (Tc)

FET Feature：

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：

3200pF @ 12V

Vgs (Max)：

±16V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：

49nC @ 10V

Vgs(th) (Max) @ Id：

2V @ 250µA

Rds On (Max) @ Id, Vgs：

0.95mOhm @ 30A, 10V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：

40A (Ta), 100A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)：

25V

Technology：

MOSFET (Metal Oxide)

FET Type：

N-Channel

Part Status：

Active

Packaging：

Tape & Reel (TR)

Series：

OptiMOS™

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型号描述

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单价

总价

¥13.8007

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¥111.497

100+

¥8.8886

¥888.86

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5000+

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10000+

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BSC009NE2LS5IATMA1

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