BSC026NE2LS5ATMA1

型号：

BSC026NE2LS5ATMA1

制造商：

Infineon Technologies

客户编号:

型号描述：

MOSFET LV POWER MOS

文件规格书:

BSC026NE2LS5ATMA1

规格

产品属性

属性值

Package / Case：

8-PowerTDFN

Supplier Device Package：

PG-TDSON-8-7

Mounting Type：

Surface Mount

Operating Temperature：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Power Dissipation (Max)：

2.5W (Ta), 29W (Tc)

FET Feature：

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：

1100pF @ 12V

Vgs (Max)：

±16V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：

16nC @ 10V

Vgs(th) (Max) @ Id：

2V @ 250µA

Rds On (Max) @ Id, Vgs：

2.6mOhm @ 30A, 10V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：

24A (Ta), 82A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)：

25V

Technology：

MOSFET (Metal Oxide)

FET Type：

N-Channel

Part Status：

Active

Packaging：

Tape & Reel (TR)

Series：

OptiMOS™

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数量：

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总价:

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数量

单价

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¥7.9529

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¥64.169

100+

¥4.9277

¥492.77

500+

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1000+

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¥3438.5

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10000+

¥2.9317

¥29317

25000+

¥2.8459

¥71147.5

BSC026NE2LS5ATMA1

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