BSC026N08NS5ATMA1

型号：

BSC026N08NS5ATMA1

制造商：

Infineon Technologies

客户编号:

型号描述：

MOSFET N-Ch 80V 100A TDSON-8

文件规格书:

BSC026N08NS5ATMA1

规格

产品属性

属性值

Package / Case：

8-PowerTDFN

Supplier Device Package：

PG-TDSON-8-6

Mounting Type：

Surface Mount

Operating Temperature：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Power Dissipation (Max)：

2.5W (Ta), 156W (Tc)

FET Feature：

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：

6800pF @ 40V

Vgs (Max)：

±20V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：

92nC @ 10V

Vgs(th) (Max) @ Id：

3.8V @ 115µA

Rds On (Max) @ Id, Vgs：

2.6mOhm @ 50A, 10V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：

6V, 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：

23A (Ta), 100A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)：

80V

Technology：

MOSFET (Metal Oxide)

FET Type：

N-Channel

Part Status：

Active

Packaging：

Tape & Reel (TR)

Series：

OptiMOS™

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型号描述

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