SI2301CDS-T1-E3

型号：

SI2301CDS-T1-E3

制造商：

VISHAY

客户编号:

型号描述：

文件规格书:

SI2301CDS-T1-E3

规格

产品属性

属性值

Base Part Number：

SI2301

Package / Case：

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Supplier Device Package：

SOT-23-3 (TO-236)

Mounting Type：

Surface Mount

Operating Temperature：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Power Dissipation (Max)：

860mW (Ta), 1.6W (Tc)

FET Feature：

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：

405pF @ 10V

Vgs (Max)：

±8V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：

10nC @ 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id：

1V @ 250µA

Rds On (Max) @ Id, Vgs：

112mOhm @ 2.8A, 4.5V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：

2.5V, 4.5V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：

3.1A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)：

20V

Technology：

MOSFET (Metal Oxide)

FET Type：

P-Channel

Part Status：

Active

Packaging：

Tape & Reel (TR)

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型号

型号描述

库存

SI2301

SI2301-3A-A1SHB

60000

SI2301BDS-T1-GE3

MOSFET 20V 2.4A 0.9W 100mohm @ 4.5V

SI2301CDS-T1-GE3

SI2302CDS-T1-E3

Si2302CDS-T1-GE3

Si2303CDS-T1-E3

MOSFET 30V 2.7A 2.3W 190mohm @ 10V

SI2304DDS-T1-GE3

SI2305CDS-T1-GE3

SI2307BDS-T1-GE3

MOSFET 30V 3.2A 1.25W 78mohm @ 10V

无库存: 0

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