Si2303CDS-T1-E3

型号：

Si2303CDS-T1-E3

制造商：

Vishay Semiconductors

客户编号:

型号描述：

MOSFET 30V 2.7A 2.3W 190mohm @ 10V

文件规格书:

Si2303CDS-T1-E3

规格

产品属性

属性值

Package / Case：

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Supplier Device Package：

SOT-23-3 (TO-236)

Mounting Type：

Surface Mount

Operating Temperature：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Power Dissipation (Max)：

2.3W (Tc)

FET Feature：

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：

155pF @ 15V

Vgs (Max)：

±20V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：

8nC @ 10V

Vgs(th) (Max) @ Id：

3V @ 250µA

Rds On (Max) @ Id, Vgs：

190mOhm @ 1.9A, 10V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：

2.7A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)：

30V

Technology：

MOSFET (Metal Oxide)

FET Type：

P-Channel

Part Status：

Active

Packaging：

Tape & Reel (TR)

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型号

型号描述

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无库存: 0

库存

交期（工作天）

起订量： 1 倍增量： 1

数量：

单价：

¥4.0544

总价:

¥4.054

定价(含13%增值税)

数量

单价

总价

¥4.0544

10+

¥3.0018

¥30.018

100+

¥2.2299

¥222.99

500+

¥1.8869

¥943.45

1000+

¥1.458

¥1458

3000+

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¥3976.5

6000+

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¥7438.2

9000+

¥1.1618

¥10456.2

24000+

¥1.0994

¥26385.6

Si2303CDS-T1-E3

Si2303CDS-T1-E3

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