SI2305CDS-T1-GE3

型号：

SI2305CDS-T1-GE3

制造商：

VISHAY

客户编号:

型号描述：

文件规格书:

SI2305CDS-T1-GE3

规格

产品属性

属性值

Package / Case：

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Supplier Device Package：

SOT-23-3 (TO-236)

Mounting Type：

Surface Mount

Operating Temperature：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Power Dissipation (Max)：

960mW (Ta), 1.7W (Tc)

FET Feature：

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：

960pF @ 4V

Vgs (Max)：

±8V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：

30nC @ 8V

Vgs(th) (Max) @ Id：

1V @ 250µA

Rds On (Max) @ Id, Vgs：

35mOhm @ 4.4A, 4.5V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：

1.8V, 4.5V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：

5.8A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)：

Technology：

MOSFET (Metal Oxide)

FET Type：

P-Channel

Part Status：

Active

Packaging：

Tape & Reel (TR)

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型号

型号描述

库存

SI2301

SI2301-3A-A1SHB

60000

SI2301BDS-T1-GE3

MOSFET 20V 2.4A 0.9W 100mohm @ 4.5V

SI2301CDS-T1-E3

SI2301CDS-T1-GE3

SI2302CDS-T1-E3

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Si2303CDS-T1-E3

MOSFET 30V 2.7A 2.3W 190mohm @ 10V

SI2304DDS-T1-GE3

SI2307BDS-T1-GE3

MOSFET 30V 3.2A 1.25W 78mohm @ 10V

无库存: 0

库存

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起订量： 1 倍增量： 1

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单价：

¥0.7092

总价:

¥0.709

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