SI2301BDS-T1-GE3

型号：

SI2301BDS-T1-GE3

制造商：

Vishay Semiconductors

客户编号:

型号描述：

MOSFET 20V 2.4A 0.9W 100mohm @ 4.5V

文件规格书:

SI2301BDS-T1-GE3

规格

产品属性

属性值

Package / Case：

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Supplier Device Package：

SOT-23-3 (TO-236)

Mounting Type：

Surface Mount

Operating Temperature：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Power Dissipation (Max)：

700mW (Ta)

FET Feature：

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：

375pF @ 6V

Vgs (Max)：

±8V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：

10nC @ 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id：

950mV @ 250µA

Rds On (Max) @ Id, Vgs：

100mOhm @ 2.8A, 4.5V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：

2.5V, 4.5V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：

2.2A (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)：

20V

Technology：

MOSFET (Metal Oxide)

FET Type：

P-Channel

Part Status：

Active

Packaging：

Tape & Reel (TR)

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型号

型号描述

库存

SI2301

SI2301-3A-A1SHB

60000

SI2301CDS-T1-E3

SI2301CDS-T1-GE3

SI2302CDS-T1-E3

Si2302CDS-T1-GE3

Si2303CDS-T1-E3

MOSFET 30V 2.7A 2.3W 190mohm @ 10V

SI2304DDS-T1-GE3

SI2305CDS-T1-GE3

SI2307BDS-T1-GE3

MOSFET 30V 3.2A 1.25W 78mohm @ 10V

无库存: 0

库存

交期（工作天）

起订量： 1 倍增量： 1

数量：

单价：

¥4.2104

总价:

¥4.210

定价(含13%增值税)

数量

单价

总价

¥4.2104

10+

¥2.7835

¥27.835

100+

¥1.7231

¥172.31

500+

¥1.5516

¥775.8

1000+

¥1.1618

¥1161.8

3000+

¥1.0682

¥3204.6

6000+

¥1.0058

¥6034.8

9000+

¥0.9356

¥8420.4

24000+

¥0.8577

¥20584.8

SI2301BDS-T1-GE3

SI2301BDS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

规格

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