SI2304DDS-T1-GE3

型号：

SI2304DDS-T1-GE3

制造商：

Vishay

客户编号:

型号描述：

文件规格书:

SI2304DDS-T1-GE3

规格

产品属性

属性值

Package / Case：

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Supplier Device Package：

SOT-23-3 (TO-236)

Mounting Type：

Surface Mount

Operating Temperature：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Power Dissipation (Max)：

1.1W (Ta), 1.7W (Tc)

FET Feature：

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：

235pF @ 15V

Vgs (Max)：

±20V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：

6.7nC @ 10V

Vgs(th) (Max) @ Id：

2.2V @ 250µA

Rds On (Max) @ Id, Vgs：

60mOhm @ 3.2A, 10V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：

3.3A (Ta), 3.6A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)：

30V

Technology：

MOSFET (Metal Oxide)

FET Type：

N-Channel

Part Status：

Active

Packaging：

Tape & Reel (TR)

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型号

型号描述

库存

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无库存: 0

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